Laser structuring for back junction silicon solar cells

verfasst von
Peter Engelhart, Nils Peter Harder, Rainer Grischke, Agnes Merkle, Rüdiger Meyer, Rolf Brendel
Abstract

We demonstrate mask-free fabrication of a 22.0%-efficient crystalline Si solar cell by applying laser ablation of Si and by laser ablation of protective coatings. The bulk absorber material is a p-type float zone silicon wafer and the designated cell area is 4 cm2. While the processing time of our laboratory-type of laser system is far too slow for industrial processing, we estimate on the basis of our experiments that laser processing of 12.5 × 12.5 cm2-sized solar cells in just a few seconds is feasible with commercially available equipment.

Externe Organisation(en)
Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)
Typ
Artikel
Journal
Progress in Photovoltaics: Research and Applications
Band
15
Seiten
237-243
Anzahl der Seiten
7
ISSN
1062-7995
Publikationsdatum
05.2007
Publikationsstatus
Veröffentlicht
Peer-reviewed
Ja
ASJC Scopus Sachgebiete
Elektronische, optische und magnetische Materialien, Erneuerbare Energien, Nachhaltigkeit und Umwelt, Physik der kondensierten Materie, Elektrotechnik und Elektronik
Ziele für nachhaltige Entwicklung
SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie
Elektronische Version(en)
https://doi.org/10.1002/pip.732 (Zugang: Geschlossen)