Improvement of the SRH bulk lifetime upon formation of n-type POLO junctions for 25% efficient Si solar cells

verfasst von

Jan Krügener, Felix Haase, Michael Rienäcker, Rolf Brendel, H. Jörg Osten, Robby Peibst

Abstract

Carrier-selective contact schemes, like polysilicon on oxide (POLO), provide low contact resistivities while preserving an excellent passivation quality. These junctions offer an important additional feature compared to a-Si/c-Si heterojunctions. We find that the formation of n-type POLO junctions lead to a huge increase of the Shockley-Read-Hall (SRH) lifetime of the substrate, a prerequisite for highly efficient solar cells. The SRH lifetime improvement can be observed for both bulk polarities and for a variety of bulk resistivities. Thus we suggest that the highly doped POLO junction getters impurities that have more or less symmetric SRH capture cross sections. We are able to achieve SRH lifetimes of > 50 ms. By applying POLO junctions to interdigitated back contact cells, we achieve cells with an efficiency of 25%.

Organisationseinheit(en)

Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik
Laboratorium für Nano- und Quantenengineering

Externe Organisation(en)

Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)

Typ

Artikel

Journal

Solar Energy Materials and Solar Cells

Band

173

Seiten

85-91

Anzahl der Seiten

7

ISSN

0927-0248

Publikationsdatum

12.2017

Publikationsstatus

Veröffentlicht

Peer-reviewed

Ja

ASJC Scopus Sachgebiete

Elektronische, optische und magnetische Materialien, Erneuerbare Energien, Nachhaltigkeit und Umwelt, Oberflächen, Beschichtungen und Folien

Ziele für nachhaltige Entwicklung

SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie

Elektronische Version(en)

https://doi.org/10.1016/j.solmat.2017.05.055 (Zugang: Geschlossen)