Direct laser texturing for high-efficiency silicon solar cells
- verfasst von
- Dimitri Zielke, David Sylla, Tobias Neubert, Rolf Brendel, Jan Schmidt
- Abstract
We implement direct laser texturing (DiLaT) into small-area (2 × 2 cm2) passivated emitter and rear solar cells (PERC). On monocrystalline float-zone silicon (FZ-Si) wafers, we achieve an independently confirmed energy conversion efficiency of 19.9% that demonstrates the applicability of DiLaT to high-efficiency solar cells. Applying our DiLaT process to block-cast multicrystalline silicon (mc-Si) wafers, we achieve short-circuit current densities Jsc up to 39.3 mA/cm 2 and efficiencies up to 17.9%. The reduced Jsc value of our mc-Si solar cells compared with the FZ-Si cells is shown to be predominantly due to increased recombination in the bulk and/or the rear.
- Organisationseinheit(en)
-
Abt. Solarenergie
- Externe Organisation(en)
-
Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)
- Typ
- Artikel
- Journal
- IEEE journal of photovoltaics
- Band
- 3
- Seiten
- 656-661
- Anzahl der Seiten
- 6
- ISSN
- 2156-3381
- Publikationsdatum
- 2013
- Publikationsstatus
- Veröffentlicht
- Peer-reviewed
- Ja
- ASJC Scopus Sachgebiete
- Elektronische, optische und magnetische Materialien, Physik der kondensierten Materie, Elektrotechnik und Elektronik
- Ziele für nachhaltige Entwicklung
- SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie
- Elektronische Version(en)
-
https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2012.2228302 (Zugang:
Unbekannt)
