Ultrafast atomic layer deposition of alumina layers for solar cell passivation

verfasst von

P. Poodt, V. Tiba, F. Werner, J. Schmidt, A. Vermeer, F. Roozeboom

Abstract

An ultrafast atomic layer deposition technique is presented, based on the spatial separation of the half-reactions, by which alumina layers can be deposited with deposition rates of more than 1 nm/s. The deposition rate is limited by the water half-reaction, for which a kinetic model has been developed. The alumina layers showed excellent passivation of silicon wafers for solar cell applications. Based on this concept, a high-throughput ALD deposition tool is being developed targeting throughput numbers of up to 3000 wafers/h.

Externe Organisation(en)

Niederländische Organisation für Angewandte Naturwissenschaftliche Forschung (TNO)
Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)
SoLayTec
Eindhoven University of Technology (TU/e)

Typ

Artikel

Journal

Journal of the Electrochemical Society

Band

158

Seiten

H937-H940

ISSN

0013-4651

Publikationsdatum

20.07.2011

Publikationsstatus

Veröffentlicht

Peer-reviewed

Ja

ASJC Scopus Sachgebiete

Elektronische, optische und magnetische Materialien, Erneuerbare Energien, Nachhaltigkeit und Umwelt, Oberflächen, Beschichtungen und Folien, Elektrochemie, Werkstoffchemie

Ziele für nachhaltige Entwicklung

SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie

Elektronische Version(en)

https://doi.org/10.1149/1.3610994 (Zugang: Geschlossen)
https://pure.tue.nl/ws/files/3605326/Metis255330.pdf (Zugang: Offen)