19%-efficient and 43 μm-thick crystalline Si solar cell from layer transfer using porous silicon
- verfasst von
- Jan Hendrik Petermann, Dimitri Zielke, Jan Schmidt, Felix Haase, Enrique Garralaga Rojas, Rolf Brendel
- Abstract
We present a both-sides-contacted thin-film crystalline silicon (c-Si) solar cell with a confirmed AM1.5 efficiency of 19.1% using the porous silicon layer transfer process. The aperture area of the cell is 3.98 cm 2. This is the highest efficiency ever reported for transferred Si cells. The efficiency improvement over the prior state of the art (16.9%) is achieved by implementing recent developments for Si wafer cells such as surface passivation with aluminum oxide and laser ablation for contacting. The cell has a short-circuit current density of 37.8 mA cm -2, an open-circuit voltage of 650 mV, and a fill factor of 77.6%.
- Organisationseinheit(en)
-
Institut für Festkörperphysik
- Externe Organisation(en)
-
Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)
- Typ
- Artikel
- Journal
- Progress in Photovoltaics: Research and Applications
- Band
- 20
- Seiten
- 1-5
- Anzahl der Seiten
- 5
- ISSN
- 1062-7995
- Publikationsdatum
- 29.12.2011
- Publikationsstatus
- Veröffentlicht
- Peer-reviewed
- Ja
- ASJC Scopus Sachgebiete
- Elektronische, optische und magnetische Materialien, Erneuerbare Energien, Nachhaltigkeit und Umwelt, Physik der kondensierten Materie, Elektrotechnik und Elektronik
- Ziele für nachhaltige Entwicklung
- SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie
- Elektronische Version(en)
-
https://doi.org/10.1002/pip.1129 (Zugang:
Geschlossen)
