Reducing UV induced degradation losses of solar modules with c-Si solar cells featuring dielectric passivation layers
- verfasst von
- Robert Witteck, Henning Schulte-Huxel, Boris Veith-Wolf, Malte Ruben Vogt, Fabian Kiefer, Marc Köntges, Robby Peibst, Rolf Brendel
- Abstract
We report on the stability of the c-Si surface passivation quality by aluminum oxide (AIOx), silicon nitride (SiNy), and AlOx/SiNy, stacks under UV illumination. Low-temperature annealed AlOx shows a weak degradation during UV illumination, with surface recombination velocities (SRVs) of 25 cm/s after a UV dose of 275 kWh/m2. This degradation is less pronounced compared to that of fired SiNy layers with an SRV of 117 cm/s. After a firing step, the AlOx layer show even an improvement during UV illumination, resulting in stabilized SRVs of down to 1 cm/s. The improvement is mainly due to an increase of the negative fixed charge density in the AlOx layer up to a large value of -1.2×1013 cm-2.
- Organisationseinheit(en)
-
Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik
Institut für Festkörperphysik
- Externe Organisation(en)
-
Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)
- Typ
- Aufsatz in Konferenzband
- Seiten
- 1366-1370
- Anzahl der Seiten
- 5
- Publikationsdatum
- 2017
- Publikationsstatus
- Veröffentlicht
- Peer-reviewed
- Ja
- ASJC Scopus Sachgebiete
- Erneuerbare Energien, Nachhaltigkeit und Umwelt, Elektrotechnik und Elektronik, Elektronische, optische und magnetische Materialien
- Ziele für nachhaltige Entwicklung
- SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie
- Elektronische Version(en)
-
https://doi.org/10.1109/PVSC.2017.8366019 (Zugang:
Geschlossen)
