Recombination behavior and contact resistance of n⁺ and p⁺ poly-crystalline Si/mono-crystalline Si junctions

verfasst von

Udo Römer, Robby Peibst, Tobias Ohrdes, Bianca Lim, Jan Krügener, Eberhard Bugiel, Tobias Wietler, Rolf Brendel

Abstract

We present an investigation of the electrical characteristics - recombination and contact resistance - of poly-crystalline (poly) Si/mono-crystalline (c) Si junctions and of the influence of the interfacial oxide between the poly-Si and the c-Si on these characteristics. In particular, we compare thermally grown oxides with different thickness values with wet chemically grown oxides. Both n- and p-type poly-Si emitters are investigated. For one combination (n-type poly-Si, thermal oxide), we compare planar and textured surfaces. For all oxide types investigated, we achieve combinations of low recombination current densities <20 fA/cm² and low specific contact resistances <0.1 ω cm². The corresponding implied open-circuit voltages measured on our test structures are 732 mV (n-type poly-Si) and 711 mV (p-type poly-Si). By applying these poly-Si layers on a solar cell structure, we achieve an open-circuit voltage of 714 mV and a series resistance of 0.6 ω cm².

Organisationseinheit(en)

Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik

Externe Organisation(en)

Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)

Typ

Artikel

Journal

Solar Energy Materials and Solar Cells

Band

131

Seiten

85-91

Anzahl der Seiten

7

ISSN

0927-0248

Publikationsdatum

12.2014

Publikationsstatus

Veröffentlicht

Peer-reviewed

Ja

ASJC Scopus Sachgebiete

Elektronische, optische und magnetische Materialien, Erneuerbare Energien, Nachhaltigkeit und Umwelt, Oberflächen, Beschichtungen und Folien

Ziele für nachhaltige Entwicklung

SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie

Elektronische Version(en)

https://doi.org/10.1016/j.solmat.2014.06.003 (Zugang: Geschlossen)