Electrical and structural analysis of crystal defects after high-temperature rapid thermal annealing of highly boron ion-implanted emitters
- verfasst von
- Jan Krugener, Robby Peibst, Wolf Alexander, Eberhard Bugiel, Tobias Ohrdes, Fabian Kiefer, Claus Schollhorn, Andreas Grohe, Rolf Brendel, Hans-Jörg Osten
- Abstract
Ion implantation of boron is a promising technique for the preparation of p-type emitters in n-type cells. We use rapid thermal annealing with temperatures up to 1250 °C and annealing durations between 6 s and 20 min to anneal the implant-induced crystal defects. Experimental J-{0e} is compared with simulated and measured defect densities. Perfect dislocation loops are identified to be the dominating defect species after rapid thermal annealing (RTA) above 1000 °C. Even for emitters with J-{0e} values around 40 fA/cm2, defects are present within the valleys of the textured surfaces after annealing. On textured Al2O3-passivated boron emitters, we measure J-{0e} of 38 fA/cm 2 for a sheet resistance around 80 Ω/□ after very short annealing processes (1 min at 1200 °C).
- Organisationseinheit(en)
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Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik
Laboratorium für Nano- und Quantenengineering
- Externe Organisation(en)
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Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)
Robert Bosch GmbH
Bosch Solar Energy AG
- Typ
- Artikel
- Journal
- IEEE journal of photovoltaics
- Band
- 5
- Seiten
- 166-173
- Anzahl der Seiten
- 8
- ISSN
- 2156-3381
- Publikationsdatum
- 01.01.2015
- Publikationsstatus
- Veröffentlicht
- Peer-reviewed
- Ja
- ASJC Scopus Sachgebiete
- Elektronische, optische und magnetische Materialien, Physik der kondensierten Materie, Elektrotechnik und Elektronik
- Ziele für nachhaltige Entwicklung
- SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie
- Elektronische Version(en)
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https://doi.org/10.1109/jphotov.2014.2365468 (Zugang:
Geschlossen)
