High-rate deposition of epitaxial layers for efficient low-temperature thin film epitaxial silicon solar cells
- verfasst von
- Lars Oberbeck, Jan Schmidt, Thomas A. Wagner, Ralf B. Bergmann
- Abstract
Low-temperature deposition of Si for thin-film solar cells has previously been hampered by low deposition rates and low material quality, usually reflected by a low open-circuit voltage of these solar cells. In contrast, ion-assisted deposition produces Si films with a minority-carrier diffusion length of 40 μm, obtained at a record deposition rate of 0.8 μm/min and a deposition temperature of 650°C with a prebake at 810°C. A thin-film Si solar cell with a 20-μm-thick epitaxial layer achieves an open-circuit voltage of 622 mV and a conversion efficiency of 12.7% without any light trapping structures and without high-temperature solar cell process steps.
- Externe Organisation(en)
-
Universität Stuttgart
- Typ
- Artikel
- Journal
- Progress in Photovoltaics: Research and Applications
- Band
- 9
- Seiten
- 333-340
- Anzahl der Seiten
- 8
- ISSN
- 1062-7995
- Publikationsdatum
- 17.09.2001
- Publikationsstatus
- Veröffentlicht
- Peer-reviewed
- Ja
- ASJC Scopus Sachgebiete
- Elektronische, optische und magnetische Materialien, Erneuerbare Energien, Nachhaltigkeit und Umwelt, Physik der kondensierten Materie, Elektrotechnik und Elektronik
- Ziele für nachhaltige Entwicklung
- SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie
- Elektronische Version(en)
-
https://doi.org/10.1002/pip.385 (Zugang:
Geschlossen)
