A 1.3A Gate Driver for GaN with Fully Integrated Gate Charge Buffer Capacitor Delivering 11nC Enabled by High-Voltage Energy Storing

verfasst von

Achim Seidel, Bernhard Wicht

Abstract

More and more power electronics applications utilize GaN transistors as they enable higher switching frequencies in comparison to conventional Si devices. Faster switching shrinks down the size of passives and enables compact solutions in applications like renewable energy, electrical cars and home appliances. GaN transistors benefit from ∼10× smaller gate charge QG and gate drive voltages in the range of typically 5V vs. ∼15V for Si.

Externe Organisation(en)

Hochschule Reutlingen

Typ

Aufsatz in Konferenzband

Seiten

432-433

Anzahl der Seiten

2

Publikationsdatum

2017

Publikationsstatus

Veröffentlicht

Peer-reviewed

Ja

ASJC Scopus Sachgebiete

Elektronische, optische und magnetische Materialien, Elektrotechnik und Elektronik

Ziele für nachhaltige Entwicklung

SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie

Elektronische Version(en)

https://doi.org/10.1109/ISSCC.2017.7870446 (Zugang: Geschlossen)