Evolution of oxide disruptions
The (W)hole story about poly-Si / c-Si passivating contacts
- verfasst von
- Dominic Tetzlaff, Jan Krugener, Yevgeniya Larionova, Sina Reiter, Mircea Turcu, Robby Peibst, Uwe Hohne, Jan Dirk Kahler, Tobias Wietler
- Abstract
Different models exist describing the current transport in polycrystalline Si/SiO x /crystalline Si junctions. Besides tunneling through thin oxides, transport through pinholes is discussed. We investigate the influence of annealing temperature on the structural properties of polycrystalline Si/SiO x /crystalline Si interfaces and analyze the formation and evolution of holes by high resolution transmission electron microscopy in comparison to electrical results. We prove the existence of pinholes in samples with good electrical properties in agreement with the pinhole model.
- Organisationseinheit(en)
-
Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik
Laboratorium für Nano- und Quantenengineering
- Externe Organisation(en)
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Institut für Solarenergieforschung GmbH (ISFH)
Centrotherm
- Typ
- Aufsatz in Konferenzband
- Seiten
- 963-965
- Anzahl der Seiten
- 3
- Publikationsdatum
- 2017
- Publikationsstatus
- Veröffentlicht
- Peer-reviewed
- Ja
- ASJC Scopus Sachgebiete
- Erneuerbare Energien, Nachhaltigkeit und Umwelt, Elektrotechnik und Elektronik, Elektronische, optische und magnetische Materialien
- Ziele für nachhaltige Entwicklung
- SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie
- Elektronische Version(en)
-
https://doi.org/10.1109/pvsc.2017.8366522 (Zugang:
Geschlossen)
